[发明专利]闪存结构及对应的编程、擦除和读取方法有效
| 申请号： | 201811132953.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109346528B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/788;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种闪存结构，包括：基底，基底内布置有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区，基底和沟道采用浓度较低的P型杂质掺杂，源极区和漏极区采用高浓度的N型杂质掺杂；以及在沟道区的基底上依次层叠的隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层及控制栅层。本发明利用背栅偏压协助带带隧穿热空穴注入的方式进行编程，热空穴在低电压差的条件下可进入电荷存储层实现编程，对电容耦合系数的要求较低。利用沟道电子注入方式进行擦除，沟道的电子在低电压差的条件下也能进入电荷存储层，以使空穴与电子一一对应结合，编程时逐步擦除进入电荷存储层的空穴，避免了现有技术中由高电压的FN擦除机制带来的擦除饱和以及工艺窗口减小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 对应 编程 擦除 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内布置有源极区、漏极区以及位于所述源极区和漏极区之间的沟道区，所述基底和沟道采用P型掺杂，所述源极区和漏极区采用N型掺杂；以及在所述沟道区的基底上依次层叠的隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层及控制栅层。
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