[发明专利]一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811133721.4 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109378384B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 廖广兰;孙博;王子奕;史铁林;谭先华;刘智勇;刘星月;叶海波 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L27/30
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域,其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法,其制备方法包括以下步骤:(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜;(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列,并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记;(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上;(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极,并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层;(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列,并进行封装,直至制备完成。本发明提高了质量,灵活性及稳定性较好,响应速度快。
搜索关键词: 硫化钼 薄膜 制备 方形阵列 钙钛矿 金属对准标记 复合柔性 连续硫化 阵列器件 光探测 钼薄膜 化学气相沉积 钙钛矿薄膜 光电子器件 表面制备 工艺制备 金属电极 柔性基底 疏水层 刻蚀 涂覆 封装 响应 制造
【主权项】:
1.一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜,具体包括以下步骤:(11)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形;(12)采用镀膜工艺在所述基底上沉积一层钼源薄膜,所述钼源薄膜覆盖所述光刻胶图形;(13)去除所述基底上的光刻胶及覆盖所述光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜;(14)将所述基底放入高温气氛炉内,并在所述图形化钼源薄膜的上方放置衬底,同时所述高温气氛炉逐渐升温,待所述高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向所述高温气氛炉内通入硫源气体;接着,所述高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间,并将制得的硫化钼薄膜自所述高温气氛炉内取出,以得到连续的硫化钼薄膜;(2)采用等离子体将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列,并制备金属对准标记;(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上;(4)采用光刻套刻与镀膜工艺在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极,并采用光刻套刻与分子自组装技术在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层;(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列,并进行封装以得到硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件。
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