[发明专利]MOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811134042.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109360785A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李秀莹;刘宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有源区和漏区，且在衬底上相对于源区和漏区之间的位置处形成有栅极结构；在衬底上形成电极层，引出源区、漏区及栅极结构的电极，得到相互独立的源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构；在电极层上形成钝化层并进行紫外光照射处理。在形成MOS器件的钝化层时对其进行紫外光照射处理，钝化层的致密性好、剪切应力强，结构稳定，可以承受更大的热应力；此外，由于源极电极结构、漏极电极结构栅极电极结构或边缘保护环之间设有足够的距离，当钝化层产生裂缝时，就算其中一个的结构被破坏倒下，倒下的结构也不会与相邻的结构接触，MOS器件的内部结构保持正常，进一步提高了热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 衬底 漏区 源区 紫外光照射 漏极电极 源极电极 栅极结构 电极层 栅极电极结构 边缘保护 电极结构 剪切应力 结构接触 结构稳定 结构栅极 热稳定性 致密性好 热应力 位置处 电极 裂缝 制造 | ||
【主权项】：
1.一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一衬底，所述衬底中形成有源区和漏区，且在所述衬底上相对于所述源区和所述漏区之间的位置处形成有栅极结构；在所述衬底上形成电极层，引出所述源区、漏区及栅极结构的电极，得到相互独立的源极电极结构、漏极电极结构及栅极电极结构；以及在所述电极层上形成钝化层并进行紫外光照射处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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