[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201811134615.8 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109065563A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 龙海凤;李天慧;藤井光一;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括:衬底,包括感光单元阵列;在衬底之上的滤色器层,包括滤色器阵列和将滤色器阵列中的滤色器分隔开的滤色器隔离CFI结构,其中滤色器阵列包括在感光单元阵列中的多个感光单元上方对应地设置的多个滤色器;在相邻滤色器之间,在平行于衬底的方向上,CFI结构包括两个或更多个第一隔离部件以及一个或多个第二隔离部件,其中每个第二隔离部件布置在两个第一隔离部件之间;以及其中两个或更多个第一隔离部件中的各第一隔离部件的折射率小于滤色器阵列中的各滤色器的折射率,并且一个或多个第二隔离部件中的各第二隔离部件被配置为能够吸收入射到其中的光。 | ||
搜索关键词: | 隔离部件 滤色器阵列 滤色器 图像传感器 衬底 感光单元阵列 折射率 相邻滤色器 感光单元 滤色器层 分隔 入射 平行 制造 隔离 配置 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:衬底,包括感光单元阵列;在所述衬底之上的滤色器层,所述滤色器层包括滤色器阵列,其中所述滤色器阵列包括在所述感光单元阵列中的多个感光单元上方对应地设置的多个滤色器,所述滤色器层还包括在所述衬底之上的将所述滤色器阵列中的多个滤色器分隔开的滤色器隔离CFI结构;在所述多个滤色器中的相邻滤色器之间,在平行于所述衬底的方向上,所述CFI结构包括两个或更多个第一隔离部件以及一个或多个第二隔离部件,其中所述一个或多个第二隔离部件中的每个第二隔离部件布置在所述两个或更多个第一隔离部件中的两个第一隔离部件之间;以及其中所述两个或更多个第一隔离部件中的各第一隔离部件的折射率小于所述滤色器阵列中的各滤色器的折射率,并且所述一个或多个第二隔离部件中的各第二隔离部件被配置为能够吸收入射到其中的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的