[发明专利]氧化石墨烯沉积源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法有效
| 申请号： | 201811135951.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109573996B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李晟宇 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种可形成电性能优异的氧化石墨烯薄膜的氧化石墨烯沉积源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法。本发明的氧化石墨烯沉积源还包括除烃类化合物以外的其他物质。本发明的氧化石墨烯薄膜形成方法通过等离子体增强化学气相沉积方法执行，优选为作为循环过程而进行。本发明的氧化石墨烯薄膜形成方法可制造具有优异的电性能的氧化石墨烯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 石墨 沉积 利用 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化石墨烯沉积源，其特征在于，包括：含氧烃类化合物，包括碳、氢及氧；以及氧化石墨烯。
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