[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811136867.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970494A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，具有上表面和下表面；沟槽结构，其包括第一沟槽，位于所述半导体衬底内并从半导体衬底的上表面向下表面延伸，其具有第一开口宽度；第二沟槽，位于所述半导体衬底内并从所述第一沟槽结构的底部向所述半导体衬底的下表面延伸，其具有第二开口宽度，该第二开口宽度小于第一开口宽度；栅极结构，位于所述第一沟槽结构和第二沟槽结构内，增加半导体结构中栅结构的栅极通道的面积，由此改善了短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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