[发明专利]一种晶圆平整固定方法有效
申请号: | 201811137091.8 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109244028B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 刘劲松;郭俭;钟亮;马强;杨帆 | 申请(专利权)人: | 上海微松工业自动化有限公司;江苏弘琪工业自动化有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 吴文滨 |
地址: | 201112 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆平整固定方法,在将翘曲晶圆预固定并装载至底盘上后将其边缘压平,再通过底盘上的多个吸附孔圈对整个翘曲晶圆背面的全部区域进行吸附固定,既保证了翘曲晶圆在较短的时间内获得足够大的吸附力,进而获得更好的吸附固定效果,提高固定后的平整度,又不会对翘曲晶圆上具有芯片结构的位置造成损伤,影响后续操作;而且,由于负压传感器、距离传感器和判断单元,能够对负压总管道内的负压进行检测确认,确保翘曲晶圆被均匀稳定的吸附力所吸附固定,进而获得更好的吸附固定效果;能够对平整固定后的翘曲晶圆的平整度进行检测确认,确保固定后的翘曲晶圆的平整度处于误差范围内,保证了后续操作的顺利进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 平整 固定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆平整固定方法,用于对翘曲晶圆进行平整固定,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,所述翘曲晶圆被输送至平整固定工位的预定位置后,底盘驱动电机驱动支撑治具和底盘共同下降,固定杆驱动电机驱动吸附固定杆上升,固定杆压力调节阀开启使所述吸附固定杆产生负压而对所述翘曲晶圆进行预固定;步骤S2,所述底盘驱动电机驱动所述支撑治具和所述底盘共同上升至与所述吸附固定杆齐平的高度而对预固定后的所述翘曲晶圆进行装载;步骤S3,压边电机驱动压边单元和喷气单元同时向下移动,同时气体调节阀开启,使得多个压边头在喷气头向所述翘曲晶圆表面喷出气体的同时对所述翘曲晶圆的边缘区域进行压平;步骤S4,多个底盘压力调节阀以预定加压间隔时间的间隔依次启动,使得所述底盘的多个吸附孔圈由内向外依次产生负压而对被装载在所述底盘上的所述翘曲晶圆进行吸附固定;步骤S5,采用负压传感器对负压总管内的负压进行检测并得到第一当前负压;步骤S6,判断单元判断所述第一当前负压是否在预定负压范围内,当判断结果为否时,进入步骤S7,当判断结果为是时,进入步骤S11;步骤S7,所述固定杆压力调节阀和所述底盘压力调节阀同时全部关闭并在预定延时时间后重新开启;步骤S8,采用负压传感器对所述负压总管道内的负压进行进一步检测并得到第二当时负压;步骤S9,判断单元进一步判断所述第二当时负压是否在所述预定负压范围内,当判断结果为否时,进入步骤S10,当判断结果为是时,进入步骤S11;步骤S10,预警提示单元发出第一预警提示;步骤S11,所述气体调节阀关闭使得所述喷气头停止喷气,所述压边电机驱动所述压边单元和所述喷气单元同时上升;步骤S12,采用距离传感器对所述翘曲晶圆的表面与所述距离传感器之间的距离进行检测并得到当前平整度;步骤S13,判断单元判断所述当前平整度是否在预定平整度范围内,当判断结果为否时,进入步骤S14,当判断结果为是时,进入步骤S15;步骤S14,所述预警提示单元发出第二预警提示;步骤S15,承载台带动所述支撑治具、所述底盘以及所述翘曲晶圆从所述平整固定工位移向植球装置的植球工位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微松工业自动化有限公司;江苏弘琪工业自动化有限公司,未经上海微松工业自动化有限公司;江苏弘琪工业自动化有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811137091.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆抓取装置及控制方法
- 下一篇:一种晶圆平整固定装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造