[发明专利]摄像装置及照相机系统在审
| 申请号： | 201811137214.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109768060A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 百濑龙典 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的是提供一种使耐光性提高的摄像装置。具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电极 减光 光电变换层 摄像装置 电荷 透射率 放大晶体管 光电变换部 照相机系统 栅极电极 耐光性 入射光 入射 输出 | ||
【主权项】：
1.一种摄像装置，其特征在于，具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
