[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201811137554.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109360829B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 苏志中;陈亦伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素阵列基板,其包括基底及多个像素结构。基底具有主动区。多个像素电极配置于基底的主动区上。每一像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一绝缘层、共用电极、第二绝缘层、像素电极、第三绝缘层及辅助电极。第二绝缘层的第二接触窗重叠于第一绝缘层的第一接触窗且位于共用电极的第一开口内。像素电极设置于第二绝缘层上,且透过第一接触窗电性连接至薄膜晶体管的第二端。辅助电极设置于第三绝缘层上且与共用电极电性连接。辅助电极具有第二开口,第二开口与像素电极重叠,而辅助电极的第一实体部遮蔽第一开口。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种像素阵列基板,包括:一基底,具有一主动区;以及多个像素结构,配置于该基底的该主动区上,每一像素结构包括:一扫描线以及一数据线,交错设置;一薄膜晶体管,具有一第一端、一控制端以及一第二端,该薄膜晶体管的该第一端电性连接至该数据线,该薄膜晶体管的该控制端电性连接至该扫描线;一第一绝缘层,设置于该薄膜晶体管上且具有一第一接触窗,该第一接触窗重叠于该薄膜晶体管的该第二端;一共用电极,设置于该第一绝缘层上且具有一第一开口,该共用电极的该第一开口重叠于该第一绝缘层的该第一接触窗;一第二绝缘层,设置于该共用电极上且具有一第二接触窗,该第二接触窗重叠于该第一绝缘层的该第一接触窗且位于该共用电极的该第一开口内;一像素电极,设置于该第二绝缘层上,且透过该第一绝缘层的该第一接触窗电性连接至该薄膜晶体管的该第二端;一第三绝缘层,设置于该像素电极上;以及一辅助电极,设置于该第三绝缘层上且与该共用电极电性连接,其中该辅助电极具有一第二开口,该辅助电极的该第二开口与该像素电极重叠,而该辅助电极的一第一实体部遮蔽该共用电极的该第一开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的