[发明专利]半导体功率元件在审
| 申请号： | 201811137574.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585542A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杨亚谕;杜尚儒;张宗正;刘家呈 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1‑x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1‑x2N，0 | ||
| 搜索关键词： | 功能层 阻挡层 缓冲结构 阻挡结构 中间层 半导体功率元件 通道层 基板 碳掺杂 铁掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率元件，其特征在于，包含︰基板；位于该基板上的缓冲结构；位于该缓冲结构上的背阻挡结构；位于该背阻挡结构上的通道层；以及位于该通道层上的阻挡层；其中该背阻挡结构包含第一功能层、第一背阻挡层以及中间层，该第一功能层位于该缓冲结构上，该第一背阻挡层位于该第一功能层上，以及该中间层位于该第一背阻挡层以及该第一功能层之间；其中该第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1‑x1N，该第一功能层的材料包含Alx2Ga1‑x2N，0
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