[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811137762.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109346576B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层和垒层；所述阱层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述垒层的材料采用未掺杂的氮化镓；所述复合结构还包括过渡层，所述过渡层设置在所述阱层和垒层之间；所述过渡层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝。本发明可提升LED的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层和垒层；所述阱层的材料采用未掺杂的氮化铟镓，所述垒层的材料采用未掺杂的氮化镓；其特征在于，所述复合结构还包括过渡层，所述过渡层设置在所述阱层和垒层之间；所述过渡层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811137762.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
