[发明专利]超辐射发光二极管及光电器件有效
| 申请号： | 201811138260.X | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109449258B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王定理;黄晓东;曹明德;李中坤;单静春 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种超辐射发光二极管及光电器件。所述超辐射发光二极管包括：所述超辐射发光二极管的有源区沿波导方向分为发光区和吸收区，所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。本发明实施例的超辐射发光二极管，由于吸收区的材料能带带隙较小，因而可以采用较短的吸收区长度，有效地降低光谱纹波，提高外延片的芯片产出率，降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 发光二极管 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种超辐射发光二极管，其特征在于，包括：所述超辐射发光二极管的有源区沿波导方向分为发光区和吸收区，所述吸收区的材料能带带隙小于所述发光区的材料能带带隙。
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