[发明专利]半导体光检测装置和特定波长的光检测方法在审
| 申请号： | 201811138604.7 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109579987A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 二木俊郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体光检测装置和特定波长的光检测方法。提供检测灵敏度针对特定波长的光成分相对较高的半导体光检测装置(100)，具有：半导体受光元件(1)，其具有设置在半导体衬底表面的第1导电型的第1导电层(16)、设置在第1导电层下方的第2导电型的第2导电层(15)和设置在第2导电层下方的第1导电型的第3导电层(14)，在对第1导电层施加了输入电压的状态下，从第3导电层输出基于入射光的强度的光电流；以及半导体光检测电路(110)，其输出基于与第1输入电压和第2输入电压的施加对应地输出的第1光电流与第2光电流之间的电流差的输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 光检测装置 半导体 输入电压 导电型 光电流 波长 光检测 输出 半导体衬底表面 半导体受光元件 施加 光检测电路 检测灵敏度 输出电压 电流差 入射光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光检测装置，其特征在于，该半导体光检测装置具有：半导体受光元件，其具有设置在半导体衬底表面的第1导电型的第1导电层、设置在所述第1导电层下方的第2导电型的第2导电层和设置在所述第2导电层下方的第1导电型的第3导电层，在对所述第1导电层施加了第1输入电压的状态下从所述第3导电层输出基于从所述第1导电层上方照射的入射光的强度的第1光电流，在对所述第1导电层施加了第2输入电压的状态下从所述第3导电层输出基于从所述第1导电层上方照射的入射光的强度的第2光电流；以及半导体光检测电路，其输出基于所述第1光电流与所述第2光电流之间的电流差的输出电压。
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