[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审
| 申请号： | 201811139670.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585337A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀明;大野宏树;西脇良典;稻田尊士;河野央 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 析出 防止剂 基板处理装置 磷酸处理液 基板处理 存储介质 供给部 蚀刻 氮化硅膜 硅氧化物 蚀刻处理 供给量 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：SiO2析出防止剂供给部，其供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂；以及控制部，其基于所述磷酸处理液的温度来设定所述磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制所述SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的所述SiO2析出防止剂的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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