[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法和扩散源有效
| 申请号： | 201811140200.1 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585153B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备R1－T－B系烧结磁体原材料(R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co)的工序；准备含有占整体的40质量％以上的必须包含Dy和Tb中的至少一种的稀土元素R2的合金粉末的工序；以比合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对合金粉末进行热处理，由合金粉末得到扩散源的工序；和将R1－T－B系烧结磁体原材料和扩散源配置在处理容器内，将R1－T－B系烧结磁体原材料和扩散源加热到R1－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度，使扩散源所含的Dy和Tb中的至少一种从R1－T－B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序，合金粉末是通过雾化法制得的粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co；准备含有占整体的40质量％以上的稀土元素R2的合金粉末的工序，所述稀土元素R2必须包含Dy和Tb中的至少一种；以比所述合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对所述合金粉末进行热处理，由所述合金粉末得到扩散源的工序；和将所述R1－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源配置在处理容器内，将所述R1－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源加热到所述R1－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度，使所述扩散源所含的Dy和Tb中的至少一种从所述R1－T－B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序，所述合金粉末是通过雾化法制得的粉末。
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