[发明专利]利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置

摘要

本发明公开了利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置，采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，经研究发现，该类型探测器在经受质子辐照后，其稳态输出性能随质子辐射剂量的增加而呈成线性减小的响应关系，因此本发明利用该探测器的特点开展质子位移损伤探测，相比电离总剂量转换得到位移损伤剂量，克服了通常试验模拟源非理想单能及次级辐射的影响，相比已有的用LED做位移损伤探测，测试系统简单实用，消除了光学耦合引入的误差。

主权项

1.利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光稳定后，记录此时的供电电流，即为探测器未经质子辐照时的阈值电流；第二步：使用标准质子源对探测器进行辐照，同时监测辐照时的质子剂量；辐照后开始对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光后，记录此时的供电电流，即为探测器在该质子辐照剂量下的阈值电流；第三步：不断改变质子辐照剂量，并获得探测器对应的阈值电流，由此得到探测器阈值电流与质子位移损伤剂量的曲线关系图；第四步：在测试其它光电器件在某一特定辐照下的质子位移损伤剂量时，将InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件置于该特定辐照中，并获得阈值电流，再查阅第三步获得的阈值电流随质子辐照剂量的曲线关系图，该阈值电流对应的质子位移损伤剂量即为被测光电器件在该特定辐照下的位质子移损伤辐射剂量。