[发明专利]透光薄膜太阳能电池制造方法及透光薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201811142270.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109065650A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘德臣;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/0232;H02S20/26 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 杨志廷 |
| 地址： | 100176 北京市经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种透光薄膜太阳能电池制造方法及透光薄膜太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，透光薄膜太阳能电池制造方法包括以下步骤：在透明基板上形成薄膜太阳能芯片；在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔，使缝隙孔贯穿薄膜太阳能芯片。本发明提供的透光薄膜太阳能电池制造方法能够制造具有透光功能的薄膜太阳能电池，无需在排布薄膜太阳能电池时切割薄膜太阳能电池成品或制作非标准件，从而避免根据不同的排布形式需要使用多种形式的生产装置的问题，并且透光薄膜太阳能电池制造方法的操作较为简便，成品合格率能够较好地控制，降低了薄膜太阳能电池的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 透光薄膜 薄膜太阳能电池 薄膜太阳能 制造 芯片 缝隙孔 太阳能电池成品 太阳能电池技术 成品合格率 非标准件 排布形式 切割薄膜 生产装置 透明基板 透光 排布 生产成本 贯穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种透光薄膜太阳能电池制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在透明基板上形成薄膜太阳能芯片；在薄膜太阳能芯片选定的位置上开设缝隙孔，使缝隙孔贯穿所述薄膜太阳能芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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