[发明专利]一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件有效
| 申请号： | 201811143398.9 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109273570B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 林哲帅;姜兴兴;吴以成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 kbbf 晶体 深紫 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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