[发明专利]干法蚀刻制备6代LTPS用PSM

摘要

本发明公开了干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、蚀刻PS区域光刻胶；④、蚀刻掉适当地Glass厚度；⑤、干法蚀刻PS区域Cr；MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大。本发明使用下置型方法，只需要对正常CR系材料分两个cell曝光即能制作出PSM，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作PSM的周期，使用MOSI材料也能实现制作出PSM，从而增加了PSM制作材料的广泛性，进一步降低了PSM的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

主权项

1.干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其特征在于：其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、蚀刻PS区域光刻胶；④、蚀刻掉适当地Glass厚度；⑤、干法蚀刻PS区域Cr；MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、干法蚀刻正常区域MOSI；④、蚀刻PS区域光刻胶；⑤、干法蚀刻PS区域Cr。