[发明专利]通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法在审
| 申请号： | 201811143711.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109652784A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | M·马蒂内恩;M·瑞塔拉;M·雷斯克拉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/52;C23C16/455;C23C16/56;H01L29/10;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;朱黎明 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法。所述方法使所述衬底与至少一种含金属的气相反应物接触，所述气相反应物包括由式M‑O‑C表示的部分化学结构，其中金属(M)原子键结至氧(O)原子，并且所述氧(O)原子键结至碳(C)原子；并使所述衬底与至少一种含硫族元素的气相反应物接触。还提供了包含由本公开的方法沉积的金属硫族化物的半导体装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 气相反应物 沉积金属 硫族化物 循环沉积 原子键结 半导体装置结构 金属硫族化物 金属 硫族元素 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法，所述方法包括：使所述衬底与至少一种含金属的气相反应物接触，所述气相反应物包括由式M‑O‑C表示的部分化学结构，其中金属(M)原子键结至氧(O)原子，并且所述氧(O)原子键结至碳(C)原子；并且使所述衬底与至少一种含硫族元素的气相反应物接触。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
