[发明专利]LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811144001.8 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109244140A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一外延层上的漂移区和体区，栅介质层和多晶硅栅，源区和漏区；还包括共用介质层，覆盖多晶硅栅的第二侧和漏区之间的漂移区表面且共用介质层会延伸到多晶硅栅的表面上，共用介质层还覆盖部分漏区的表面；未被共用介质层所覆盖的多晶硅栅、源区和漏区的表面形成有自对准金属硅化物且共用介质层作为自对准金属硅化物的生长阻挡层；在多晶硅栅的第二侧和漏区之间的共用介质层的表面形成有漏端场板；漏端场板底部的共用介质层作为场板介质层。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能降低工艺难度，提高竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 多晶硅栅 漏区 场板 自对准金属硅化物 表面形成 漂移区 漏端 源区 覆盖 工艺难度 栅介质层 外延层 阻挡层 体区 制造 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述多晶硅栅的第二侧都延伸到所述漂移区的表面上；源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区形成于所述漂移区的选定区域中且所述漏区的第一侧和所述多晶硅栅的第二侧相隔有间距；共用介质层，所述共用介质层覆盖所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述漂移区表面且所述共用介质层会延伸到所述多晶硅栅的表面上，所述共用介质层还覆盖部分所述漏区的表面；未被所述共用介质层所覆盖的所述多晶硅栅、所述源区和所述漏区的表面形成有自对准金属硅化物且所述共用介质层作为所述自对准金属硅化物的生长阻挡层；在所述多晶硅栅的第二侧和所述漏区之间的所述共用介质层的表面形成有漏端场板；所述漏端场板底部的所述共用介质层作为场板介质层。
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