[发明专利]可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811145381.7 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109346513B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 申请(专利权)人: 大连芯冠科技有限公司
主分类号: H01L29/207 分类号: H01L29/207;H01L29/06;H01L21/02;C30B25/18
代理公司: 大连非凡专利事务所 21220 代理人: 闪红霞
地址: 116023 辽宁省大连市高新技术*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层,有衬底、AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层,AlN缓冲层上表面有孔洞,所述孔洞内插接有MgxN纳米柱。制备方法依次按照如下步骤进行:在衬底上生长AlN缓冲层;控制反应室的压力为50~150mbar,以150~500 sccm的流量向反应室内通入金属镁元素5~30 s;依次生长AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层。
搜索关键词: 提高 晶体 质量 耐压 性能 氮化物 外延 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层,有衬底(1)、AlN缓冲层(2)、AlxGa1‑xN缓冲层(3)及GaN层(4),AlN缓冲层(2)上表面有孔洞(5),其特征在于:所述孔洞(5)内插接有MgxN纳米柱(6)。
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