[发明专利]可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层及其制备方法有效
申请号: | 201811145381.7 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109346513B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 | 申请(专利权)人: | 大连芯冠科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/207 | 分类号: | H01L29/207;H01L29/06;H01L21/02;C30B25/18 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
本发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层,有衬底、AlN缓冲层、AlxGa |
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搜索关键词: | 提高 晶体 质量 耐压 性能 氮化物 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层,有衬底(1)、AlN缓冲层(2)、AlxGa1‑xN缓冲层(3)及GaN层(4),AlN缓冲层(2)上表面有孔洞(5),其特征在于:所述孔洞(5)内插接有MgxN纳米柱(6)。
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