[发明专利]一种侧向外延生长的方法及半导体结构

摘要

本申请公开了一种侧向外延生长的方法及半导体结构，其中，所述侧向外延生长的方法在进行外延生长的过程中，通入预设气体，以使含卤素原子气体可以与外延材料与掩膜层形成的多晶膜层进行反应，避免多晶膜层中的位错或缺陷对侧向生长的外延层的膜层质量产生不良影响的问题。并且，当外延层的外延材料中含有高铝组分时，利用所述侧向外延生长的方法进行外延层的生长，还可以解决二次外延生长过程中样品拿出接触空气导致外延层被空气中的氧气氧化的问题，以避免在进行二次外延生长的过程中，导致的表面退化而导致表面粗糙的问题。

主权项

1.一种侧向外延生长的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层部分暴露出所述衬底表面；在所述掩膜层及所述衬底被掩膜层暴露出的表面进行侧向外延生长，以形成覆盖所述掩膜层和衬底暴露出的表面的外延层，外延生长同时通入预设气体，所述预设气体为含卤素原子气体。