[发明专利]一种微流控芯片的制备方法在审
申请号: | 201811145805.X | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109201131A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 张文杰;谢亮;金湘亮 | 申请(专利权)人: | 江苏芯力特电子科技有限公司 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 212415 江苏省镇江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种微流控芯片的制备方法,包括制备基片、盖片,加工储液池,在基片上设置中空的微挤出管,利用微挤出管代替部分微沟道,从而通过局部键合即可完成芯片的制备,局部键合降低了微流控芯片整片键合的难度,而挤出成型的微挤出管的复制完全,形成的微通道的截面一致性较好,芯片上还设有控温线路对反应沟槽进行精准控温,升温快速且增加了适用范围。 | ||
搜索关键词: | 制备 微流控芯片 挤出管 局部键合 控温 芯片 挤出成型 储液池 微沟道 微通道 中空的 盖片 键合 整片 复制 加工 | ||
【主权项】:
1.一种微流控芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制备基片,在基片上设置微沟道,微沟道末端设置槽,槽中设置中空的微挤出管,微沟道截面直径大于或等于微挤出管的内径;S2、制备盖片,在盖片上设置槽,步骤S1中的微挤出管设置在由基片的槽和盖片的槽形成的空间内;S3、局部键合并加工储液池:将基片与盖片合上,局部键合后,再加工储液池,将微挤出管沿管长方向的外径上涂塑料粘接剂或胶水镶嵌在基片的槽中,盖上盖片并对正,施加压力,放置,局部键合,再加工储液池,制成芯片;S4、在芯片上平面制热电半导体温控线路,芯片包括不少于一个的反应沟槽区和控温线路区;S5、在步骤S4中的反应沟槽区的一面加工用于反应的沟槽,另一面印制感温探头;S6、在步骤S4中的控温线路区的两面分别印制N型和P型热电材料的线路层,在线路靠近和远离反应沟槽区的一端均钻一排通孔,通孔中镀金属层,线路通过通孔连成交串联线路结构;S7、感温探头和控温线路外接温度控制器,对反应沟槽进行控温。
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