[发明专利]一种微流控芯片的键合方法

摘要

本发明公开了一种微流控芯片的键合方法，基片表面的严格清洗等预处理过程，更好的激活键合表面，在非净化条件的实验室完成芯片预键合和键合过程，不仅键合强度达标而且降低了对环境的洁净要求，全程非高温也对键合设备的要求，便捷有效；采用外援胶类封接，有效的保护了微流控芯片，使微流控芯片不在键合中遭到破坏。

主权项

1.一种微流控芯片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗，依次用丙酮、乙醇进行表面清洗，每次清洗后均需用去离子水冲掉清洗液；S2、将步骤S1清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后，直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起，转移到培养皿中，然后放置到真空干燥箱内若干时间，完成预键合；S3、将石蜡融化，将步骤S2完成预键合的盖片与基片浸泡到液体石蜡中，在基片的孔处施加负压，利用负压将液体石蜡通过孔吸入到沟道内，将盖片与基片夹紧、固定，冷却到室温，完成对沟道的保护；S4、反复浸泡清洗步骤S3得到的盖片与基片，将盖片与基片之间的可溶性的硅酸钠溶解除去，室温下抽真空干燥；S5、在步骤S4得到的盖片与基片的四周的边缘封一圈外援胶类，施加负压，将紫外光固化胶通过盖片与基片之间的缝隙吸入到非沟道区域；S6、对步骤S5得到的盖片与基片的四周进行紫外光照射，再对基片的沟道区域进行紫外光照射，室温老化；S7、将步骤S6室温老化后得到的盖片与基片加热至温度为55℃～ 95℃，通过基片上的孔将沟道中的液体石蜡吸出；冷却到室温，通过基片上的孔，清洗残余在沟道中的石蜡后再用酒精清洗，最后反复冲洗浸泡盖片与基片以除去沟道内部残余的硅酸钠，室温下真空干燥；S8、室温下，将浓硫酸和过氧化氢的混合液通过基片上孔充满步骤S7干燥后得到的盖片与基片中的基片的沟道内，加热盖片与基片后保温，以除去沟道中残余的外援胶类；S9、用去离子水通过基片上的孔反复清洗沟道，真空干燥后完成键合，得到微流控芯片。