[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。提高半导体器件的可靠性。第一绝缘膜和保护膜被形成在半导体衬底上。第一区域的所述第一绝缘膜和所述保护膜选择性地被移除，并且绝缘膜被形成在暴露的半导体衬底上。在第二区域、第三区域和第四区域中的所述第一绝缘膜覆盖有所述保护膜的状态下，所述半导体衬底在包含氮的气氛中被热处理，从而将氮引入到在所述第一区域中的所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的所述界面。换句话说，氮引入点被形成在所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的所述界面上。在该配置中，所述保护膜用作防氮化膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括将形成有第一MISFET的第一区域和将形成有第二MISFET的第二区域，所述方法包括以下步骤：(a)在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上方形成第一绝缘膜；(b)在所述第一绝缘膜上形成保护膜，所述保护膜由与所述第一绝缘膜不同的材料制成；(c)通过选择性地移除所述第一区域的所述保护膜和所述第一绝缘膜，来暴露所述第一区域的所述半导体衬底；(d)在步骤(c)之后，在所述第一区域的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜；(e)在步骤(d)之后，通过在所述第二区域中的所述第一绝缘膜被覆盖有所述保护膜的状态下在包含氮的气氛中对所述半导体衬底执行热处理，来将氮引入到所述第一区域中的所述半导体衬底与所述第二绝缘膜之间的界面；(f)在步骤(e)之后，移除所述第二区域的所述保护膜；(g)在步骤(f)之后，在所述第一区域的所述第二绝缘膜上方和所述第二区域的所述第一绝缘膜上方形成第一导电膜，以及(h)通过图案化所述第一导电膜，来形成所述第一区域中的所述第一MISFET的第一栅极电极和所述第二区域中的所述第二MISFET的第二栅极电极。