[发明专利]一种倒装芯片的加工方法

摘要

本发明公开了一种倒装芯片的加工方法，在衬底层上外延依次生长N‑GaN、量子阱、P‑GaN和金属电极层，在N‑GaN、金属电极层和N电极上形成隔离层，然后刻蚀后再分别形成键合P电极、键合N电极，在简化工艺的前体下，形成具有电流分布均匀、电压低、亮度高等优点的倒装芯片，同时，由于形成的键合P电极和键合N电极位于同一平面，因此在将其直接封装至散热基板上；金属接触层环绕呈漏斗状、开口上大下小，改善了倒装芯片容易发生漏电的问题，安全性提高。

主权项

1.一种倒装芯片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在衬底层上外延依次生长N‑GaN、量子阱、P‑GaN和金属电极层，N‑GaN和衬底相连，所述P‑GaN和所述金属电极层相连，所述量子阱位于所述N‑GaN和P‑GaN之间，金属电极层暴露出部分P‑GaN；S2、金属电极层包括欧姆接触层、反射层和保护层，欧姆接触层形成于所述P‑GaN上，反射层形成于所述欧姆接触层上，保护层形成于所述反射层上，制作图形保护层，并在图形保护层上制作贯穿至欧姆接触层的凹坑，制作后的保护层呈漏斗状，所述漏斗状的开口上大下小；S3、在步骤S4中的凹坑内沉积反射层，反射层全部沉积在凹坑内， 在反射层上覆盖保护层；S4、依次刻蚀所述P‑GaN和量子阱，暴露出部分N‑GaN，在N‑GaN表面形成N电极；S5、在N‑GaN、金属电极层和N电极上形成隔离层；S6、刻蚀所述隔离层，暴露出部分金属电极层和部分N电极；S7、在所述隔离层上分别形成键合P电极和键合N电极以使键合P电极和键合N电极位于同一平面，所述键合P电极与所述金属电极层相连，所述键合N电极与所述N电极相连；S8、直接将所述键合P电极和所述键合N电极封装在一平面的散热基板表面。