[发明专利]一种倒装结构芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种倒装结构芯片的制作方法，采用钨钼铜合金（WMoCu）作为衬底依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层；在n‑AlGaN层上制作n型欧姆接触金属；去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；在p‑GaN层或p‑AlGaN层上制作p型欧姆接触层；在p型欧姆接触层上制作金属阻挡层；在n‑AlGaN层上光刻出欧姆接触部分，生长n型欧姆接触层；通过后续加工制得。本发明将传统的蓝宝石衬底用钨钼铜合金替换，不仅降低生产成本且简化了加工工艺；明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产率。

主权项

1.一种倒装结构芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、以钨钼铜合金作为衬底层，在钨钼铜衬底层上外延生长AlN缓冲层，然后依次生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑ AlGaN层；S2、通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层，以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层，露出n‑AlGaN层表面；S3、通过剥离的方法在n‑AlGaN层表面上制作n型欧姆接触金属，并高温退火；S4、腐蚀去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；S5、在p‑GaN层或p‑AlGaN层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并在400℃～550℃下退火80s～220s，该p型欧姆接触层也为反射镜层；S6、在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层；S7、在金属阻挡层和n‑AlGaN层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n‑AlGaN层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火；S8、先光刻出p型电极区域，并腐蚀去除该区域的绝缘层，然后加厚制得p电极和n电极，再沉积一层绝缘材料层，并做二次电极分布，最后去除生长衬底和u‑GaN层，并粗化n‑AlGaN层，制得倒装结构紫外LED芯片。