[发明专利]半导体结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及制备方法，制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底，在半导体衬底内形成第一沟槽；2)至少在第一沟槽的侧壁形成衬垫层；3)在衬垫层的上表面形成隔离层，隔离层至少覆盖衬垫层的侧面及顶部；4)在第一沟槽内填充第一介质层；5)刻蚀去除部分第一介质层后形成第二沟槽，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度；6)在第二沟槽内填充第二介质层，第二介质层至少填满第二沟槽。本发明采用隔离层覆盖保护衬垫层及沟槽边缘处的介质层侧壁，避免边缘缺口缺陷的形成；采用分步填充介质层的制备方法，得到了没有空洞缺陷且具有矩形截面的半导体浅沟槽隔离结构，改善了隔离效果，提升了产品良率。