[发明专利]半导体存储器电容接点结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811147187.2 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970351A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器电容接点结构及制备方法，制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底，衬底表面包含若干有源区，在衬底上形成若干连接有源区的位线；2)在衬底上形成导电层，导电层填满位线之间的间隙；3)在导电层上形成由电容接点结构的位置所定义的图形化掩膜层；4)刻蚀去除裸露的导电层，形成电容接点结构，并暴露出部分衬底；5)于衬底上形成介质层，介质层至少填满位线与电容接点结构之间的间隙及相邻位线之间的间隙。使用本发明的制备方法得到的电容接点结构不仅能确保电容接点结构具有较小尺寸，还能加强电容接点结构与位线的隔离效果，减少寄生电容，提高电容接点结构与介质层的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 电容 接点 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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