[发明专利]等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811147305.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109256316A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 周亚勇;罗林;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法，所述等离子体刻蚀装置包括：刻蚀腔室；晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。本发明方案可以在聚焦环变薄时，降低晶圆边缘区域的刻蚀速率，减少甚至避免对晶圆边缘区域的刻蚀效果的影响，提高半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀装置 聚焦环 等离子体刻蚀 晶圆边缘区域 晶圆基座 半导体器件 刻蚀腔室 刻蚀效果 导电环 负电势 刻蚀腔 变薄 晶圆 刻蚀 内嵌 环绕 室内 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室；晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。
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