[发明专利]半导体装置及其工作方法在审
| 申请号： | 201811147328.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109360796A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李垚;陈伏宏;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其工作方法，其中，半导体装置包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。利用所述半导体装置能够检控腔室内侧壁副产物的量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 室内 发生单元 输入反应 光强 基底 腔室 腔室内侧壁 工艺处理 探测装置 耦合 反应物 副产物 探测腔 预设 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
