[发明专利]一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺有效
申请号: | 201811148475.X | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109277359B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 王云彪;武永超;吕菲;陈亚楠;张贺强;杨召杰;耿莉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/02;B08B3/12 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。本工艺采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后,采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液,采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污,采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒,达到免清洗表面。本发明采用了高纯洗净剂和HF溶液相结合的方式,配合超声波清洗,有效去除了双面抛光锗片的表面沾污,达到了免清洗的表面要求,极大提高了红外用双面抛光片的表面质量。本发明操作简单、易于实现,降低了双面抛光锗片的清洗难度,易于实现批量化生产。 | ||
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【主权项】:
1.一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺,其特征是:采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后,采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液,采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污,采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒,达到免清洗表面,其工艺步骤如下:(1)、将一面抛光好的锗片装入PFA花篮中,在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(2)、将锗片放入稀释的洗净剂中超声5min,超声温度控制在50‑60℃,然后进行纯水冲洗;(3)、将第二面抛光好的锗片在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min,然后进行纯水冲洗;(4)、将锗片依次放入两杯装有稀释的洗净剂溶液中,超声温度控制在50‑60℃,每杯超声5min,然后在第3杯装有纯水中超声2min,再进行纯水冲洗;(5)、将清洗后的锗片放入稀释的氨水溶液中兆声清洗10min,清洗温度为20‑25℃,喷淋冲洗后甩干、检验。
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