[发明专利]集成电路修补方法及装置、存储介质、电子设备有效
| 申请号： | 201811149310.4 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110991124B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林家圣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/367;G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及计算机技术领域，尤其涉及一种集成电路修补方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取待修补集成电路的芯片测试数据；根据所述芯片测试数据并结合由深度学习网络构建的预测模型预测所述待修补集成电路的封装测试数据；根据所述芯片测试数据和所述封装测试数据对所述待修补集成电路进行修补。本公开避免了人为因素的影响，使得封装测试数据的预测准确率大大提高，进而也避免出现修补电路浪费的现象，此外，由于封装测试数据的预测准确率大大提高，因此，可以很好的缩短修补时间并降低修补成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 修补 方法 装置 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811149310.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
