[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811149857.4 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109244141A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市心版图科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬底和所述栅极走线的上表面开设有有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。此半导体器件大大增加了元胞开启或关断的一致性，减少了半导体器件的损耗，避免元胞的过电流失效，增加了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 多晶硅栅极 多晶硅衬垫 栅极金属层 栅极衬垫 栅极走线 接触孔 元胞 间隔设置 平行设置 多晶硅 过电流 上表面 衬底 关断 填充 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括栅极及栅极金属层，所述栅极包括平行设置的多条多晶硅栅极、栅极衬垫、连接所述多晶硅栅极和所述栅极衬垫的栅极走线、位于所述半导体器件的中部的栅极手指，所述栅极手指包括多个间隔设置的多晶硅衬垫，所述多晶硅衬垫连接相邻的两条多晶硅栅极，所述多晶硅衬垫和所述栅极走线的上表面开设有接触孔，所述接触孔用于填充所述栅极金属层。
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