[发明专利]用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置在审
申请号: | 201811149950.5 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109306470A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 魏景峰;荣延栋;傅新宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴晓艳 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置,包括:第一进气块和第二进气块;第一进气块插入第二进气块设置的第二中心进气通孔内,在第二中心进气通孔的内壁和第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环形密封空腔区域;设置有用于连通第一密封空腔区域和第一中心进气通孔、连通第二密封空腔区域和第一中心进气通孔的第一进气孔;设置有分别与第一密封空腔区域和第二密封空腔区域相连通的第二进气孔。本发明的进气装置、原子层沉积装置,可以防止两种前驱物在进气端初期因混合而发生化学反应;可以有效地减少原子层沉积工艺中由进气端产生的颗粒,对工艺稳定性起到正向作用。 | ||
搜索关键词: | 进气块 进气通孔 密封空腔 原子层沉积工艺 原子层沉积装置 进气装置 环形密封空腔 进气端 进气孔 连通 化学反应 工艺稳定性 有效地减少 前驱物 侧壁 内壁 正向 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种用于原子层沉积工艺的进气装置,其特征在于,包括:第一进气块和第二进气块;第一进气块设置有第一中心进气通孔,所述第二进气块设置有第二中心进气通孔,所述第一进气块插入所述第二中心进气通孔内,所述第一进气块与所述第二进气块固定连接;在所述第二中心进气通孔的内壁和所述第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环形密封空腔区域;在所述第一进气块的侧壁上设置有用于连通所述第一密封空腔区域和所述第一中心进气通孔、连通所述第二密封空腔区域和所述第一中心进气通孔的第一进气孔;在所述第二进气块的侧壁上设置有分别与所述第一密封空腔区域和所述第二密封空腔区域相连通的第二进气孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811149950.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:通过使用负偏压的PEALD沉积膜的方法
- 下一篇:化学气相沉积系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的