[发明专利]用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置在审

专利信息
申请号: 201811149950.5 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109306470A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 魏景峰;荣延栋;傅新宇 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 巴晓艳
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置,包括:第一进气块和第二进气块;第一进气块插入第二进气块设置的第二中心进气通孔内,在第二中心进气通孔的内壁和第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环形密封空腔区域;设置有用于连通第一密封空腔区域和第一中心进气通孔、连通第二密封空腔区域和第一中心进气通孔的第一进气孔;设置有分别与第一密封空腔区域和第二密封空腔区域相连通的第二进气孔。本发明的进气装置、原子层沉积装置,可以防止两种前驱物在进气端初期因混合而发生化学反应;可以有效地减少原子层沉积工艺中由进气端产生的颗粒,对工艺稳定性起到正向作用。
搜索关键词: 进气块 进气通孔 密封空腔 原子层沉积工艺 原子层沉积装置 进气装置 环形密封空腔 进气端 进气孔 连通 化学反应 工艺稳定性 有效地减少 前驱物 侧壁 内壁 正向 隔离
【主权项】:
1.一种用于原子层沉积工艺的进气装置,其特征在于,包括:第一进气块和第二进气块;第一进气块设置有第一中心进气通孔,所述第二进气块设置有第二中心进气通孔,所述第一进气块插入所述第二中心进气通孔内,所述第一进气块与所述第二进气块固定连接;在所述第二中心进气通孔的内壁和所述第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环形密封空腔区域;在所述第一进气块的侧壁上设置有用于连通所述第一密封空腔区域和所述第一中心进气通孔、连通所述第二密封空腔区域和所述第一中心进气通孔的第一进气孔;在所述第二进气块的侧壁上设置有分别与所述第一密封空腔区域和所述第二密封空腔区域相连通的第二进气孔。
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