[发明专利]快速修正SRAM测试电压的方法及SRAM测试电路有效
| 申请号： | 201811150144.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970084B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘禹延;蓝帆;杨慎知;陆梅君;潘伟伟 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快速修正SRAM测试电压的方法及SRAM测试电路，快速修正SRAM测试电压的方法，该方法包括以下步骤：以目标电压值作为Force电压输入，进行电压修正判断；调用PID算法进行电压修正，直到满足二分法调用条件结束PID算法修正电压，调用二分法进行电压修正,输入调整后的force电压，进行电压修正判断，若满足结束修正的条件则结束整个修正过程，否则重复进行二分法电压修正。本发明使用PID调节法来避免差分比例调节法不能收敛的情况，并在接近目标值时，采用二分法进行调整，以加快调节速度。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 修正 sram 测试 电压 方法 电路 | ||
【主权项】：
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