[发明专利]一种LDMOS及其制造方法

摘要

本发明涉及一种LDMOS及其制造方法，通过在衬底设置漂移区，并在漂移区上方以及场氧化层下方低温外延形成一个外延层，外延层的存在可以降低器件表面电场，提高漂移区杂质浓度，使器件导通电阻下降，并且器件表面电场趋于均匀，提高器件的击穿电压，同时防止外延层对器件电流路径的影响产生结型场效应管效应，进一步减小器件的导通电阻，解决了导通电阻和击穿电压之间的矛盾。

主权项

1.一种LDMOS，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，所述漂移区注入形成于所述衬底上表面一端；第一导电类型的体区，所述体区注入形成于所述衬底上表面，与所述漂移区相连；第一导电类型的外延层，所述外延层生长于所述漂移区之上，所述外延层的下表面与所述漂移区的上表面大致持平；场氧化层，所述场氧化层生长于所述外延层之上，并包裹所述外延层；栅氧化层，所述栅氧化层形成于所述体区以及所述漂移区表面，并不覆盖所述场氧化层；多晶硅栅，所述多晶硅栅覆盖所述场氧化层一侧面，并延伸覆盖所述外延层区域；第二导电类型的源极注入区，所述源极注入区注入形成于所述体区；第二导电类型的漏极注入区，所述漏极注入区注入形成于所述漂移区；第一导电类型的接触区，所述接触区注入形成于所述体区；电介质隔离层，所述电介质隔离层生长于所述栅氧化层、所述场氧化层以及所述多晶硅栅上表面；源极，所述源极通过源极接触孔与所述源极注入区以及所述接触区相连；栅极，所述栅极通过栅极接触孔与所述多晶硅栅相连；漏极，所述漏极通过漏极接触孔与所述漏极注入区相连。