[发明专利]一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法在审
| 申请号： | 201811154711.9 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109166599A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王思聪;魏琛;李向平 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G11C13/06 | 分类号： | G11C13/06 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，由于偏振奇点和相位奇点在聚焦空间中的相互作用，拓扑荷为+1和‑1的一阶旋向偏振涡旋光在聚焦空间中将分别产生左旋圆偏振场和右旋圆偏振场，在高数值孔径条件下，一阶旋向偏振涡旋光产生横向尺寸小于传统圆偏振光聚焦光斑横向尺寸的圆偏振聚焦场。利用本发明方法所实现的旋向依赖全光磁反转区域面积将比传统圆偏振光所产生的反转区域面积小30％，为超高密度、超快磁存储提供有效的解决方法。 | ||
| 搜索关键词： | 旋向 偏振 涡旋 一阶 磁反转 全光 圆偏振光 奇点 聚焦 高数值孔径 右旋圆偏振 左旋圆偏振 反转区域 聚焦光斑 磁存储 光产生 聚焦场 圆偏振 拓扑 | ||
【主权项】：
1.一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，其特征在于：包括偏振态为旋向偏振态的入射光，且该入射光具有拓扑荷为±1的螺旋相位分布；将拓扑荷为+1或‑1的入射光照射在磁存储媒介上，使磁存储媒介发生旋向依赖全光磁反转；所述磁存储媒介为能够实现旋向依赖全光磁反转的亚铁磁材料或铁磁材料。
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