[发明专利]一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201811156622.8 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109161964A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘长江;王笃福;王希玮;王盛林 | 申请（专利权）人： | 济南中乌新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法，包括以下步骤：（1）将HPHT法生长的金刚石单晶切割，形成HPHT金刚石单晶晶片；（2）进行表面清洗；（3）在HPHT金刚石单晶晶片上甩光刻胶并进行坚膜；形成设计图形；（4）利用CVD法沉积介质膜；（5）去除设计图形以外的光刻胶和介质膜，形成设计介质膜图形；（6）HPHT金刚石单晶晶片放入CVD设备中拼接，并进行等离子体刻蚀，形成新的表面；（7）利用微波等离子体化学气象沉积方法在形成的新表面上生长厚层CVD金刚石单晶；（8）切割去除拼接的HPHT金刚石单晶晶片，形成自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。本发明抑制了利用CVD法生长的拼接金刚石单晶的晶界及附近生长缺陷，保证了晶体质量，得到了自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 单晶晶片 拼接 金刚石单晶 设计图形 光刻胶 介质膜 晶体的 自支撑 去除 制备 生长 切割 等离子体刻蚀 化学气象沉积 微波等离子体 介质膜图形 表面清洗 生长缺陷 新表面 沉积 单晶 放入 厚层 坚膜 晶界 保证 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸CVD金刚石晶体的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将HPHT法生长的金刚石单晶沿同一方向进行切割，对切割的每片金刚石单晶进行表面抛光和加工，形成HPHT金刚石单晶晶片，作为微波等离子体化学气象沉积法金刚石生长的籽晶；(2)对HPHT金刚石单晶晶片进行表面清洗；(3)在HPHT金刚石单晶晶片上甩光刻胶并进行坚膜；利用光刻机曝光后形成设计图形；(4)利用化学气相沉积法沉积介质膜；(5)去除设计图形以外的光刻胶和介质膜，形成设计介质膜图形；(6)将沉积设计介质膜图形的HPHT金刚石单晶晶片放入CVD设备中拼接，并进行等离子体刻蚀，形成新的表面；(7)利用微波等离子体化学气象沉积方法在形成的新表面上生长厚层CVD金刚石单晶，生长过程分为两步，第一步为调整生长条件促进横向生长，接缝表面融合后再进行第二步纵向厚膜生长；(8)厚层金刚石单晶生长2‑10mm厚度后，切割去除拼接的HPHT金刚石单晶晶片，形成自支撑大尺寸CVD金刚石晶体。
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