[发明专利]湿法黑硅制备工艺

摘要

本发明涉及一种湿法黑硅制备工艺，包括：用氢氧化钾溶液去除硅片表面损伤层；用含有有机掩膜的A1溶液处理上述抛光硅片两次；用氢氟酸和双氧水以及不含金属的B1混合溶液反应，形成纳米结构；用氢氧化钾溶液清洗，去除上述过程中的残留酸液；用氢氟酸、硝酸以及B2的混合溶液，将步骤4所形成的黑硅纳米结构进行扩大化处理；用氢氧化钾溶液，去除上述步骤反应后形成的多孔硅；用氢氟酸和盐酸的混合溶液清洗硅片；将上述清洗后硅片，进行烘干处理，流入后道工序。本发明解决了多晶金刚线制绒困难的问题；可有效降低硅片表面反射率；可有效提高电池转换效率，增加收益；添加剂成分不含重金属，有效避免环保污染问题。

主权项

1.一种湿法黑硅制备工艺，其特征在于包括以下步骤：1)将45wt％的氢氧化钠溶液与纯水以体积比1:6‑12混合，在温度75‑85℃去除硅片表面损伤层，时间200‑400S，然后水洗；2)用A1溶液对上述抛光硅片进行预清洗，温度为温度20‑30℃，时间100‑200S，然后水洗；3)重复步骤2)；4)用氢氟酸和双氧水以及不含金属的B1混合溶液反应，其中氢氟酸：双氧水：纯水＝1:3‑6:2‑10；B1溶液为0.5％‑4％；温度30‑40℃，时间180S‑300S，最终形成纳米结构，即黑硅，然后水洗；5)用45wt％氢氧化钾溶液与纯水以体积比例1:40‑80混合，温度20‑30℃，清洗上述酸液，时间60‑150S；6)将49％wt的氢氟酸与纯水以体积比例1:40‑80混合，温度20‑30℃，时间60‑150S；7)将步骤4)所形成的黑硅纳米结构进行扩大化处理；然后水洗；8)用碱性溶液在温度20‑30℃下去除上述步骤反应后形成的多孔硅，时间100‑200S，然后水洗；9)用酸性清洗硅片，温度20‑30℃，时间100‑300S，然后水洗；10)将上述清洗后硅片，进行烘干处理，流入后道工序。