[发明专利]一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器在审
| 申请号： | 201811162289.1 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109120178A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 肖文勋;胡建雨;张波;黄子田 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器，包括六个开关管和两个二极管，通过在全桥电路的基础上加入两个开关管和两个二极管，使续流阶段电流不流经体二极管，通过开关管的结电容均压能够使共模电压保持恒定，适用于光伏并网系统。本发明电路可以有效的解决逆变环节中由于不采用变压器而造成的共模漏电流问题，同时由于续流阶段电流不流经体二极管，因此MOSFET器件可以使用，降低了由于IGBT器件关断时由于拖尾电流造成的关断损耗，且SiC二极管可以替代普通二极管，反向恢复的损耗可以得到很好的抑制。因此本发明电路能够有效的抑制共模漏电流,同时提高并网发电系统的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 开关管 并网逆变器 阶段电流 体二极管 非隔离 续流 电路 恒定 并网发电系统 光伏并网系统 共模漏电流 反向恢复 共模电压 关断损耗 全桥电路 拖尾电流 抑制共模 结电容 漏电流 关断 均压 逆变 变压器 替代 环节 | ||
【主权项】：
1.一种新型的单相非隔离MOSFET并网逆变器，其特征在于：包括第一开关管（S1）、第二开关管（S2）、第三开关管（S3）、第四开关管（S4）、第五开关管（S5）、第六开关管（S6）、第一二极管（VD1）、第二二极管（VD2）、第一电感（L1）、第二电感（L2）和直流输入电容（Cdc）。
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