[发明专利]一种横向三极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种横向三极管，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底的上表面上的绝缘层，形成在绝缘层的上表面的第一导电类型的外延层，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层和所述绝缘层的第一沟槽，填充第一沟槽的第一导电类型的发射区，形成在所述第一沟槽侧壁上的第一导电类型的发射结，形成在发射结远离所述发射区的侧壁上的第二导电类型的基区，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层的第二沟槽，填充第二沟槽的第一导电类型的集电区，形成在第二沟槽侧壁上的第一导电类型的集电结，形成在外延层、集电结、集电区、基区、发射结和发射区上表面的介质层。其还公开了上述横向三极管的制备方法，其能使三极管的发射极面积变大，电流能力变强。

主权项

1.一种横向三极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底的上表面上的绝缘层，形成在所述绝缘层的上表面的第一导电类型的外延层，自所述外延层的上表面向下贯穿所述外延层和所述绝缘层的第一沟槽，填充所述第一沟槽的第一导电类型的发射区，形成在所述第一沟槽侧壁上的第一导电类型的发射结，形成在所述发射结远离所述发射区的侧壁上的第二导电类型的基区，自所述外延层的上表面向下贯穿所述外延层的第二沟槽，填充所述第二沟槽的第一导电类型的集电区，形成在所述第二沟槽侧壁上的第一导电类型的集电结，形成在所述外延层、所述集电结、所述集电区、所述基区、所述发射结和所述发射区上表面的介质层，自所述介质层的上表面向下延伸至所述所述集电区的集电区电极，自所述介质层的上表面向下延伸分别与所述外延层和所述基区连接的基区电极，形成在所述衬底的下表面上的发射区电极。