[发明专利]一种线阵探测器探测模组有效

专利信息
申请号: 201811173013.3 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109581466B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 谭江;方志强;林言成;崔亚辉 申请(专利权)人: 上海奕瑞光电子科技股份有限公司
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201201 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种线阵探测器探测模组,包括第一闪烁体层;第一非晶硅光电二极管阵列,贴置于第一闪烁体层一表面,包括第一玻璃基底和第一非晶硅光电二极管单元;第二闪烁体层;第二非晶硅光电二极管阵列,贴置于第二闪烁体层一表面,包括第二玻璃基底和第二非晶硅光电二极管单元;固定柱,穿过第一玻璃基底和第二玻璃基底,用于将低能探测器和高能探测器固定于探测主板上,第一、第二非晶硅光电二极管单元分别通过柔性电路板电连至探测主板。本发明是基于非晶硅光电二极管的线阵探测器探测模组,光电二极管可集成于一块玻璃基底上,避免拼接连接处产生坏点影响图像质量的问题,另外,通过固定柱将双能探测器固定在探测主板上,提高了结构的稳定性。
搜索关键词: 一种 探测器 探测 模组
【主权项】:
1.一种线阵探测器探测模组,其特征在于,所述线阵探测器探测模组至少包括:第一闪烁体层,用于将低能射线转换成可见光;第一非晶硅光电二极管阵列,贴置于所述第一闪烁体层一表面,用于吸收所述第一闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号,所述第一非晶硅光电二极管阵列包括第一玻璃基底和制备于所述第一玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第一非晶硅光电二极管单元,所述第一闪烁体层和所述第一非晶硅光电二极管阵列构成低能探测器;第二闪烁体层,位于所述低能探测器远离射线源的一侧,所述第二闪烁体层用于将高能射线转换成可见光;第二非晶硅光电二极管阵列,贴置于所述第二闪烁体层一表面,用于吸收所述第二闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号,所述第二非晶硅光电二极管阵列包括第二玻璃基底和制备于所述第二玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第二非晶硅光电二极管单元,所述第二闪烁体层和所述第二非晶硅光电二极管阵列构成高能探测器;固定柱,穿过所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底,用于将所述低能探测器和所述高能探测器固定于探测主板上。
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