[发明专利]一种闪存器件的制造方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的制造方法，在形成栅堆叠层的侧墙时，在侧墙的侧壁上形成第一保护层，该保护层与侧墙在去除字线区侧墙的工艺中是具有刻蚀选择性的，这样，在去除字线区侧墙时，该保护层可以保护擦除栅区的侧墙不被去除，该擦除栅区的侧墙为形成浮栅时的掩膜，通过该保护层减少或避免形成浮栅的掩膜的损伤，从而，提高形成的浮栅的均匀性，进而提高闪存器件的擦除效率，提高闪存器件的性能。

主权项

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，以及在所述侧墙的侧壁上形成第一保护层；去除所述字线区的第一保护层及侧墙，所述第一保护层与所述侧墙在去除所述字线区侧墙的工艺中具有刻蚀选择性；以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；去除所述擦除栅区的侧墙及第一保护层。