[发明专利]一种适用于退火质子交换工艺的铌酸锂清洗方法在审
| 申请号： | 201811174466.8 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109226046A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杨广;张雪荣;王健康;黄昀昀 | 申请（专利权）人： | 西安中科华芯测控有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B3/10;B08B3/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710119 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于退火质子交换工艺的铌酸锂清洗方法，在退火质子交换法制备铌酸锂相位调制器芯片的制备介质掩模工艺和质子交换工艺之间以及质子交换工艺和退火工艺之间增设彻底清洗晶圆工艺，所述彻底清洗晶圆工艺包括以下步骤：将晶圆置于浓硫酸双氧水洗液中浸泡；置于无水乙醇中加热并进行超声处理；置于丙酮中加热并进行超声处理；置于RCA一号洗液中加热并进行兆声超声处理；置于RCA二号洗液中加热恒温处理；采用去离子水兆声喷洒。本发明采用浓硫酸双氧水混合洗液替代铬酸洗液，避免了铬酸洗液中大量的金属离子杂质污染衬底，同时也达到去除有机污染物的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 质子交换工艺 退火 超声处理 清洗 洗液 双氧水 加热 铬酸洗液 晶圆工艺 浓硫酸 铌酸锂 铌酸锂相位调制器 金属离子杂质 有机污染物 混合洗液 加热恒温 介质掩模 去离子水 退火工艺 无水乙醇 质子交换 丙酮 衬底 晶圆 去除 制备 喷洒 浸泡 芯片 增设 替代 污染 | ||
【主权项】：
1.一种适用于退火质子交换工艺的铌酸锂清洗方法，其特征在于，在退火质子交换法制备铌酸锂相位调制器芯片的制备介质掩模工艺和质子交换工艺之间以及质子交换工艺和退火工艺之间增设彻底清洗晶圆工艺，所述彻底清洗晶圆工艺包括以下步骤：S1：将晶圆置于浓硫酸双氧水洗液中浸泡；S2：将S1处理后的晶圆置于无水乙醇中加热至50‑70℃恒温保持5‑10分钟，然后进行超声处理；S3：将S2处理后的晶圆置于丙酮中加热至45‑60℃恒温保持5‑10分钟，然后进行超声处理；S4：将S3处理后的晶圆置于RCA一号洗液中加热至70‑90℃恒温保持20‑30分钟，然后进行兆声处理；S5：将S4处理后的晶圆置于RCA二号洗液中加热至70‑90℃恒温处理20‑30分钟；S6：将S5处理后的晶圆采用去离子水兆声喷洒。
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