[发明专利]对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器有效

专利信息
申请号: 201811174600.4 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN109379060B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: V·拉纳;G·拉加尔 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011;H03K3/03;H03K3/354;H03L1/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器。时钟信号生成电路被配置为生成具有跨越多个运行条件的变化而被保持的频率的时钟信号,多个运行条件的变化例如供应电压、温度以及处理时间的改变。在实施例中,PVT补偿的CMOS环形振荡器的生成的时钟信号的频率扩展被配置用于补偿供应电压的变化以及用于经由过程和温度补偿电路来补偿过程和温度的变化。PVT补偿的CMOS环形振荡器包括经调节的电压供应电路,以生成抵抗由于总供应电压的改变而导致的变化的供应电压。
搜索关键词: 对于 过程 温度 电压 变化 具有 稳定 频率 cmos 振荡器
【主权项】:
1.一种电路,包括:电平移位器,具有第一输入、第二输入、第一输出和第二输出;第一反相器,被耦合以驱动所述第一输入;第一电容器,被耦合在所述第一输入与参考供应节点之间;第二反相器,被耦合以驱动所述第二输入;第二电容器,被耦合在所述第二输入与所述参考供应节点之间;其中所述第一反相器和所述第二反相器由偏置电流偏置;其中所述第二输出被耦合到所述第一反相器的输入;其中所述第一输出被耦合到所述第二反相器的输入;以及偏置生成器电路,被配置为产生所述偏置电流;所述偏置生成器电路产生与MOS晶体管阈值电压成比例的所述偏置电流。
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