[发明专利]通孔阵列的形成方法及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201811174605.7 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111029249B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吴晗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通孔阵列的形成方法及半导体器件的形成方法。通过第二掩膜层优化第一分格阵列的图形，以将第一分格阵列中位于边缘位置的第一分格和第二分格相互连通，相当于消除了不希望形成的第一分格，或者也可以认为，当第一分格存在开口尺寸较小的问题时，通过与第二分格的合并，克服了最终所形成的第二分格阵列中存在开口尺寸较小的分格的缺陷，确保后续在将第二分格阵列复制至衬底中以形成通孔阵列时，可使通孔阵列中的各个通孔均能够延伸至衬底的预定深度位置中。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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