[发明专利]具有表面碳纳米墙的硅基负极材料及其制备方法和电池在审
| 申请号： | 201811176290.X | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110034284A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘柏男;罗飞;陆浩;褚赓 | 申请（专利权）人： | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/131;H01M4/134;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有表面碳纳米墙的硅基负极材料及其制备方法和电池，所硅基负极材料由90wt％‑99.9wt％的硅基材料与0.1wt％‑10wt％的在硅基材料表面原位生长的碳材料纳米墙复合而成；硅基材料为含有电化学活性硅的粉体材料，包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅材料、改性氧化亚硅材料和无定型硅合金的一种或者几种的混合；电化学活性硅占硅基材料的0.1wt％‑90wt％；碳材料纳米墙包括碳纳米墙和/或石墨烯纳米墙，高度为5‑50nm，厚度为1‑10nm；硅基负极材料的拉曼图谱中在510±10cm‑1具有晶态峰；碳材料纳米墙的g/d为0.30以上、0.70以下；硅基负极材料的XRD图谱中在28.4°±0.2°具有衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基负极 硅基材料 碳材料 电化学活性 氧化亚硅 表面碳 制备 电池 表面原位生长 碳复合材料 粉体材料 无定型硅 纳米硅 石墨烯 碳纳米 衍射峰 改性 晶态 合金 图谱 复合 | ||
【主权项】：
1.一种具有表面碳纳米墙的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料由90wt％‑99.9wt％的硅基材料与0.1wt％‑10wt％的在所述硅基材料表面原位生长的碳材料纳米墙复合而成；所述硅基材料为含有电化学活性硅的粉体材料，包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅材料、改性氧化亚硅材料和无定型硅合金的一种或者几种的混合；所述电化学活性硅占所述硅基材料的0.1wt％‑90wt％；所述碳材料纳米墙包括碳纳米墙和/或石墨烯纳米墙；所述硅基负极材料的拉曼图谱中在510±10cm‑1具有晶态峰；碳材料纳米墙的g/d值为0.30以上、0.70以下；其中，所述g/d值为拉曼图谱中石墨结构的G线波数峰值和缺陷产生的D线波数峰值的比值；所述硅基负极材料的X射线衍射图谱中在28.4°±0.2°具有衍射峰。
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