[发明专利]一种高低电压通用的静电保护的静电阻抗器结构在审
| 申请号： | 201811176511.3 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109301803A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘颖异;裴彬 | 申请（专利权）人： | 合肥宽芯电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明结构具有新颖性和通用性，适用于各种集成电路中，本发明公开了一种高低电压通用的静电保护的静电阻抗器结构，静电携带能量较高或较低时均可释放电流，并且结构简单易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 静电阻抗器 高低电压 静电保护 通用的 静电 可释放 新颖性 集成电路 携带 | ||
【主权项】：
1.所述的高低电压通用的静电保护的静电阻抗器，其特征在于：结构包括RC器件组件，反相器及二极管组件，晶体管组件，其中RC器件组件包含串联的电阻R31和电容C32，电阻R31的一端接电源VDD，电阻R31的另一端接A节点，电容C32的一端接A节点，电容C32的另一端接GND接地端，反相器及二极管组包含反相器INV31和反相器INV32以及二极管D31，INV11的输入端口接B节点，反相器INV32的输入端接反相器INV31的输出端，反相器INV32的输出端连接C节点，二极管D31正极接C节点，二极管D31负极接GND接地端；晶体管组件，包含PMOS管M31和NMOS管M32，PMOS管M31的源级连接VDD电源端，PMOS管M31的漏极连接B节点，PMOS管M31的栅极连接A节点，NMOS管M32的漏极连接VDD电源端，NMOS管M32的源级连接GND接地端，NMOS管M32的栅极连接C节点。
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